BC856ALT3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 90 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное65 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min90
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB