Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

BC858ALT1

BC858ALT1 / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 125 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Предлагаем замену

BC858ALT1G

BC858ALT1G (ONS) 1,76

Характеристики

Корпус

TO236
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

30 В
Ток коллектора

100 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

125
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 02.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰