BC858CLT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420 , Коэффициент усиления по току, max 800 , Примечание General Purpose Transistor PNP
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min420
-
Коэффициент усиления по току, max800
-
ПримечаниеGeneral Purpose Transistor PNP