BCP53T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
PNP Bipolar Transistor, hFE 40 to 250
Корпус PGSOT2234 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара BCP56T1 , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1.5 А, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Характеристики
-
КорпусPGSOT2234
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параBCP56T1
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора1.5 А
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin