BCW65CLT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус sot23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250 , Коэффициент усиления по току, max 630 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпусsot23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min250
-
Коэффициент усиления по току, max630
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB