BCX56-10R1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.56 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 130 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.56 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота130 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon