BD139G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара BD140 , Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параBD140
-
Рассеиваемая мощность12.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1.5 А
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin