BD180G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара BD179 , Рассеиваемая мощность 30 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параBD179
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin