BD237G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара BD234 , Рассеиваемая мощность 25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параBD234
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin