BF720T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:300V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):50V; Power Dissipation, Pd:1.5W; DC Current Gain Min (hfe):50; Package/Case:SOT-223
Корпус PGSOT2234 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 60 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Характеристики
-
КорпусPGSOT2234
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота60 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin