BUL45D2G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
RF Bipolar Transistor
Transistor Polarity NPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo 400V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat) 22V
Power Dissipation, Pd 75W
DC Current Gain Min (hfe) 22
Package/Case 3-TO-220
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 75 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 13 МГц, Коэффициент усиления по току, min 22 , Примечание Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность75 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота13 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min22
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin