BUV22G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 250 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 40 А, Граничная рабочая частота 8 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Примечание Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность250 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное250 В
-
Ток коллектора40 А
-
Граничная рабочая частота8 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 40A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin