DTC143TM3T5G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Корпус SOT723 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 260 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 160 , Коэффициент усиления по току, max 350 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT723
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность260 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии250 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min160
-
Коэффициент усиления по току, max350
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon