Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография EMT1DXV6T5G ON Semiconductor временно отсутствует

EMT1DXV6T5G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус SOT563 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 357 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 120 , Коэффициент усиления по току, max 560 , Примечание Dual General Purpose Transistor

Предлагаем замену

Для EMT1 JSCJ фотографии временно нет

EMT1 (JSCJ) 2,61

Для EMT1DXV6T1G ON Semiconductor фотографии временно нет

EMT1DXV6T1G (ONS) 8,81

Характеристики

Корпус

SOT563
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

357 мВт
Напряжение КЭ максимальное

50 В
Ток коллектора

100 мА
Коэффициент усиления по току, min

120
Коэффициент усиления по току, max

560
Примечание

Dual General Purpose Transistor

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 13.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 13.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰