ESD11B5.0ST5G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DSN2 , Пороговое напряжение 5.8 В, Ток утечки 1 мкА, Паразитная емкость линии 13.5 нФ, Примечание Mid-Capacitance Bi-Directional TVS Diode , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDSN2
-
Пороговое напряжение5.8 В
-
Ток утечки1 мкА
-
Паразитная емкость линии13.5 нФ
-
ПримечаниеMid-Capacitance Bi-Directional TVS Diode
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C