ESD11N5.0ST5G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DIODE, ESD PROTECTION, 5V, DSN-2
Корпус DSN2 , Пороговое напряжение 5.8 В, Ток утечки 1 мкА, Паразитная емкость линии 0.9 нФ, Примечание 5V Bi Directional TVS in DSN Package , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
Характеристики
-
КорпусDSN2
-
Пороговое напряжение5.8 В
-
Ток утечки1 мкА
-
Паразитная емкость линии0.9 нФ
-
Примечание5V Bi Directional TVS in DSN Package
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C