FDG6332C-F085 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL AND P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET