FDMS8050 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 650 мкОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 650 мкОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 650 мкОм, Рассеиваемая мощность 156 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.00065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C55 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)650 мкОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min650 мкОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max650 мкОм
-
Рассеиваемая мощность156 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.00065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA