FDN335N / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C 1.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 70 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 8 В, Заряд затвора 5 нКл, Рассеиваемая мощность 500 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 310 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C1.7 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max70 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора8 В
-
Заряд затвора5 нКл
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора310 пФ