FGB20N60SFD-F085 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Время включения 28 нс, Время выключения 123 нс, Максимальная мощность 208 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Время включения28 нс
-
Время выключения123 нс
-
Максимальная мощность208 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB