KSD1692YS / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 4000 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора3 А
-
Коэффициент усиления по току, min4000
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin