KSH122ITU / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора8 А
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin