MBT2222ADW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация 2 NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурация2 NPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon