MBT3946DW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
NPN PNP Bipolar Transistor
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация NPN / PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN / PNP
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon