MC10ELT21DG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Кол-во узлов 1 , Диапазон напряжений питания, min 4.75 В, Диапазон напряжений питания, max 5.25 В, Номинальное напряжение питания 1 В, Задержка прохождения сигнала вход-выход 1 нс, Входной гистерезис, min 4.75 В, Входной гистерезис, max 5.25 В, Особенности PECL , Примечание TTL , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во узлов1
-
Диапазон напряжений питания, min4.75 В
-
Диапазон напряжений питания, max5.25 В
-
Номинальное напряжение питания1 В
-
Задержка прохождения сигнала вход-выход1 нс
-
Входной гистерезис, min4.75 В
-
Входной гистерезис, max5.25 В
-
ОсобенностиPECL
-
ПримечаниеTTL
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C