MGP7N60ED / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 10 А, Время включения 55 нс, Время выключения 415 нс, Максимальная мощность 81 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C10 А
-
Время включения55 нс
-
Время выключения415 нс
-
Максимальная мощность81 Вт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB