MJ11016G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
Transistor Type Bipolar Darlington
Transistor Polarity NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 120V
Current Ic Continuous a Max 30A
Voltage, Vce Sat Max 3V
Power Dissipation 200W
Min Hfe 1000
Case Style TO-3
Termination Type Through Hole
Alternate Case Style TO-204AA
Current Ic Max 30A
Current Ic av 30A
Current Ic hFE 20A
Device Marking MJ11016
No. of Pins 2
Power, Ptot 200W
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vcbo 120V
ft, Min 4MHz
Корпус TO204AA , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Комплементарная пара MJ11015 , Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Ток коллектора 30 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Примечание Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
Характеристики
-
КорпусTO204AA
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Комплементарная параMJ11015
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Ток коллектора30 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin