MJ11033 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:50A; Voltage, Vce Sat Max:-2.5V; Power Dissipation:300W; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-3; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:50A; Current, Ic av:50A; Current, Ic hFE:25A; Pins, No. of:2; Power, Ptot:300W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:120V
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP Darl. , Комплементарная пара MJ11032 , Рассеиваемая мощность 300 Вт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Ток коллектора 50 А, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 18 , Примечание Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP Darl.
-
Комплементарная параMJ11032
-
Рассеиваемая мощность300 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Ток коллектора50 А
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max18
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin