MJB44H11G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара MJB45H11 , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Примечание Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параMJB45H11
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора10 А
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin