MJD112G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:200; ft, Typ:25MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Complementary Device:MJD117G; Current, Ic Max:2A; Current, Ic hFE:2A; Current, Icm Peak:4A; Power, Ptot:20W; Voltage, Vcbo:100V
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Комплементарная пара MJD117 , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 25 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 12
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Комплементарная параMJD117
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота25 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max12