Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?
вход / регистрация
Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
MJD117T4G
MJD117T4G 0 MJD117T4G 1

MJD117T4G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению
2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP Darl. , Комплементарная пара MJD112T4 , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 25 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 12

Предлагаем замену

MJD117G % MJD117G (ONS) 35,20

Описания и документация

m/mjd112-ddj.pdf
MJD112-Ddj.pdf

Характеристики

  • Корпус
    TO252
  • Тип проводимости и конфигурация
    PNP Darl.
  • Комплементарная пара
    MJD112T4
  • Рассеиваемая мощность
    20 Вт
  • Напряжение КЭ максимальное
    100 В
  • Ток коллектора
    2 А
  • Граничная рабочая частота
    25 МГц
  • Коэффициент усиления по току, min
    1000
  • Коэффициент усиления по току, max
    12

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 09.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 09.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.
 
☰