MJD122/T4 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100