MJD122T4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Комплементарная пара MJD127T4 , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 12 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Комплементарная параMJD127T4
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max12
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin