MJD210RLG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, -25V, -5A, TO-252
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара MJD200RL , Рассеиваемая мощность 12 Вт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 45 , Коэффициент усиления по току, max 180 , Примечание Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параMJD200RL
-
Рассеиваемая мощность12 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min45
-
Коэффициент усиления по току, max180
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin