MJD253T4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Аудио транзистор, биполярный
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара MJD243T4 , Рассеиваемая мощность 12 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 40 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 180 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параMJD243T4
-
Рассеиваемая мощность12 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота40 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max180
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin