MJD32C / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.2 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 3 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.2 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота3 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin