MJD340T4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DPAK-4/ 0.5A 300V HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара MJD350 , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 240 , Примечание Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параMJD350
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max240
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin