MJD45H11 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP D-PAK; Transistor Type:Power General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Hfe, Min:40; ft, Typ:40MHz; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD45H11; Power, Ptot:20W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:10V dc; Width, External:6.73mm
Корпус DPAK , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара MJD44H11 , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 90 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Характеристики
-
КорпусDPAK
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параMJD44H11
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота90 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin