MJD6039T4G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DPAK 4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 80V
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Рассеиваемая мощность 1.75 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Рассеиваемая мощность1.75 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора2 А
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin