MJE13007G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 14 МГц, Коэффициент усиления по току, min 5 , Коэффициент усиления по току, max 30 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота14 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
Коэффициент усиления по току, max30
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin