MJE15031G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:150V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-0.5V; Power Dissipation:2W; Hfe, Min:20; ft, Typ:30MHz; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Current, Icm Pulsed:16A; Pins, No. of:3; Power, Ptot:50W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:150V; ft, Min:30MHz
Корпус SOT78 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Комплементарная пара MJE15030 , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 30 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT78
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Комплементарная параMJE15030
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота30 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin