MJE18004G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:450V; Current, Ic Continuous a Max:2.5A; Voltage, Vce Sat Max:0.45V; Power Dissipation:75W; Hfe, Min:6; ft, Typ:13MHz; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Application Code:PHVS; Current, Ic Max:5A; Current, Ic hFE:2A; Pins, No. of:3; Power, Ptot:75W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Inductive Switching:2.5чs; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:10V dc; Voltage, Vces:1000V
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 75 Вт, Напряжение КЭ максимальное 450 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 13 МГц, Коэффициент усиления по току, min 14 , Коэффициент усиления по току, max 34 , Примечание Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность75 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное450 В
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота13 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min14
-
Коэффициент усиления по току, max34
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin