MJE181G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-225-3
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара MJE171 , Рассеиваемая мощность 12 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параMJE171
-
Рассеиваемая мощность12 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin