MJE340G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:300V; Current, Ic Continuous a Max:0.5A; Voltage, Vce Sat Max:30V; Power Dissipation:20W; Hfe, Min:30; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:0.5A; Current, Ic hFE:0.05A; Pins, No. of:3; Power, Ptot:20W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 240 , Примечание Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max240
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin