MJE803G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Корпус TO225 , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Комплементарная пара MJE703 , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 1 МГц, Коэффициент усиления по току, min 750 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO225
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Комплементарная параMJE703
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота1 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min750
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225, Plastic/Epoxy, 3 Pin