MMBF170 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 500 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB , Ёмкость затвора 40 пФ
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса500 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
-
Ёмкость затвора40 пФ