MMBFJ310LT3G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
JFET, AUTO, N-CH, 25V, SOT-23-3
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Примечание RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
ПримечаниеRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236AB