Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Примечание RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236AB
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.