MMBT2132T3 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 342 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 700 мА, Коэффициент усиления по току, min 150 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность342 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора700 мА
-
Коэффициент усиления по току, min150
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon