MMBT4403LT1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB