MMBT489LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 710 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 300 , Коэффициент усиления по току, max 900 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность710 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min300
-
Коэффициент усиления по току, max900
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB